Doch wo Licht ist, ist bekanntlich auch Schatten: Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles) sinkt. Während beispielsweise bei einer Vertex 3 mit 29F64G08ACME2 NAND-Flashes (25 nm) noch 5.000 P/E-Cycles im Datenblatt nachzulesen waren, muss sich der Flash der Vertex 3.20 (29F16B08CCMF3, 20 nm) mit 3.000 Zyklen begnügen – was immer noch sehr viel ist. Ziel des Shrinks ist sowohl die Kosteneinsparung als auch die verbesserte Verfügbarkeit der Chips. Heutzutage sind Flash-Speicher ein fester Bestandteil in sehr vielen elektronischen Endprodukten (Smartphones, Tablets etc.) und der entsprechend steigende Bedarf lässt sich dadurch abfangen. TLC ist eine weitere Alternative.
| Single-Level-Cell (SLC) | Multi-Level-Cell (MLC) | Triple-Level-Cell (TLC) | |
| Bits per Cell | 1 | 2 | 3 |
| P/E-Cycles | 100.000 | 3.000-5.000 | 1.000-1.500 |
| Read Time | 25 µs | 50 µs | 75 µs |
| Program Time | 200-300 µs | 600-900 µs | ~900-1350 µs |
| Erase Time | 1,5-2 ms | 3 ms | ~4,5 ms |
Der größte Konkurrent des 1x nm MLC im günstigen Entry-Level heißt TLC und findet unter anderem bei aktuellen Drives von Samsung (SSD 840 Familie) Verwendung. TLC-Zellen (Triple-Level-Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Genaue Informationen über die Zuverlässigkeit sind aktuell nicht verfügbar, Samsung gibt jedoch drei Jahre Garantie auf entsprechende Laufwerke. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von 1.000-1.500. Noch fehlen Langzeitstudien und Erfahrungswerte, da es sich um eine neue Technologie im SSD-Bereich handelt, die zudem bislang nur von sehr wenigen Herstellern in entsprechenden Endprodukten eingesetzt wird.
Momentan ist die Intel SSD 75 zwei Varianten erhältlich – als HHHL-Karte (Half-Height Half-Length) mit PCIe 3.0 4x und als 2,5-Zoll-Laufwerk mit U.2 connector. Beide Varianten sind in jeweils drei Kapazitätsstufen verfügbar: 400, 800 oder 1.200 GB und welchseln ab etwa 420 (400 GB), 780 (800 GB) bzw. 1.100 Euro (1.200 GB) den Besitzer (Quelle: Geizhals.de, Stand: 08/2015). Daraus ergeben sich Preise pro Gigabyte von 105, 98 bzw. 92 Euro-Cent – mehr zur Preis/Leistung auf Seite 13 des Artikels. In der unten stehenden Tabelle sind alle wesentlichen technischen Eckdaten der Familie nachzulesen. Weitere Informationen zu unserem Testkandidaten erhalten Sie auf den nun folgenden Seiten des Tests.
| Modell | Random 4K Read | Random 4K Write | Sequential Read | Sequential Write |
| 1.200 GB | 440.000 IOPS | 290.000 IOPS | 2.400 MB/s | 1.200 MB/s |
| 800 GB | 420.000 IOPS | 210.000 IOPS | 2.100 MB/s | 800 MB/s |
| 400 GB | 430.000 IOPS | 230.000 IOPS | 2.200 MB/s | 900 MB/s |
Die 20-nm-NAND-Flash-Speicher stammen aus Microns Herstellung.
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