Micron Technology gab heute bekannt, dass das Unternehmen mit der Massenproduktion des weltweit ersten 232-Layer-NAND begonnen hat. Dieser NAND verfügt über die höchste Flächendichte der Branche und im Vergleich zu früheren Micron NAND-Generationen bietet er eine höhere Kapazität und eine verbesserte Energieeffizienz, so dass er die datenintensivsten Anwendungsfälle vom Client bis zur Cloud optimal unterstützt.
„Der 232 Schichten umfassende NAND von Micron ist ein Wendepunkt für die Speicherinnovation. Denn er ist der erste Beweis für die Fähigkeit, 3D NAND in der Produktion auf mehr als 200 Schichten zu skalieren. Diese bahnbrechende Technologie erforderte umfangreiche Innovationen. Darunter fortschrittliche Prozessfähigkeiten zur Herstellung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis, neuartige Materialien und bahnbrechende Designverbesserungen, die auf unserer marktführenden 176-Layer-NAND-Technologie aufbauen.“
Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology and Products bei Micron
Die 232-Layer-NAND-Technologie von Micron bietet hohe NAND-E/A-Geschwindigkeit – 2,4 Gigabyte pro Sekunde (GB/s) – um die Anforderungen von datenzentrierten Arbeitslasten wie künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen, unstrukturierten Datenbanken und Echtzeitanalysen sowie Cloud Computing mit niedriger Latenz und hohem Durchsatz zu erfüllen. Diese Geschwindigkeit entspricht einer 50 % schnelleren Datenübertragung als die schnellste Schnittstelle, die auf dem 176-Schichten-Knoten von Micron möglich ist. Der 232-Layer-NAND von Micron bietet außerdem eine bis zu 100 % höhere Schreibbandbreite und eine mehr als 75 % höhere Lesebandbreite pro Chip als die vorherige Generation. Diese Vorteile pro Chip führen zu Leistungs- und Energieeffizienzsteigerungen bei SSDs und eingebetteten NAND-Lösungen.
TLC-NAND mit höchster Leistung und Waferdichte im branchenweit kleinsten Gehäuse. (Bildquelle: Micron)
Darüber hinaus ist der 232-Layer-NAND der weltweit erste TLC-Produktions-NAND mit sechs Ebenen. Er verfügt über die meisten Ebenen pro Die aller TLC-Flashspeicher und bietet unabhängige Lesefähigkeit auf jeder Ebene. Die Kombination aus hoher E/A-Geschwindigkeit, Lese- und Schreiblatenz und der Sechs-Ebenen-Architektur von Micron sorgt für erstklassige Datenübertragungen in vielen Konfigurationen. Diese Struktur sorgt für weniger Kollisionen zwischen Schreib- und Lesebefehlen und für Verbesserungen der Servicequalität auf Systemebene.
Der 232-Layer-NAND von Micron ist der erste NAND in der Produktion, der NV-LPDDR4 unterstützt. Dabei handelt es sich um eine Niederspannungsschnittstelle, die im Vergleich zu früheren E/A-Schnittstellen Einsparungen von mehr als 30 % pro Bit ermöglicht. Daher bieten 232-Schichten-NAND-Lösungen die ideale Unterstützung für mobile Anwendungen und Einsätze im Rechenzentrum und an der Intelligent Edge, die eine verbesserte Leistung mit einem geringen Stromverbrauch in Einklang bringen müssen. Die Schnittstelle ist auch rückwärtskompatibel, um ältere Controller und Systeme zu unterstützen.
Der kompakte Formfaktor des 232-Layer-NAND bietet den Kunden Flexibilität bei ihren Designs und ermöglicht gleichzeitig die höchste TLC-Dichte pro Quadratmillimeter, die jemals produziert wurde (14,6 Gb/mm²). Die Flächendichte ist zwischen 35 % und 100 % höher als bei konkurrierenden TLC-Produkten, die heute auf dem Markt erhältlich sind. Durch die Auslieferung in einem neuen 11,5 mm x 13,5 mm großen Gehäuse ist der 232-Layer-NAND um 28 % kleiner als frühere Micron-Generationen und damit der kleinste verfügbare High-Density-NAND. Mehr Dichte auf kleinerer Fläche minimiert den Platz auf der Platine für eine Vielzahl von Anwendungen.
Der 232-Layern-NAND von Micron wird in Form von Komponenten und über die Crucial SSDs für Consumer ausgeliefert.
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