Speicherspezialist Rambus führte heute auf dem Intel Developer Forum (IDF) die ersten Module des neuen PC4200 vor. Die theoretisch mögliche Bandbreite der neuen Speichermodule soll nun bei 4,2 GB/sec liegen, was eine Leistungssteigerung, im Vergleich zu aktuellen DDR-RAM Modulen, von fast 100 Prozent ausmacht. Im Vergleich zu PC800 sind es sogar 163 Prozent...
Der Leistungszuwachs liegt aber nicht nur am erhöhten Takt, welcher nun von 400 MHz auf 533 MHz angehoben wurde, sondern auch an der neuen Hardware. Der Großteil der Mehrleistung ist dem Führen von zwei Speicherkanälen über ein einziges Modul zu verdanken. Dies lässt aber wieder neue Probleme aufkommen...
Das bei der Leistungssteigerung der neuen PC4200 Module auftretende Problem, liegt in der Inkompatibilität zu alten Mainboards oder auch später zu alten Speichermodulen. Dies ist auch ganze einfach erklärt, da der neue Speicherstandard 232 Pins haben wird und der bisher erhältliche DDR-RAM leider nur auf 184 Pins basiert...
Vermutliche Hersteller der neuen Speicher werden Kingston und Samsung sein. Ein erstes Mainboard wird es von Asus geben und wird sich Asus P4T1066 nennen...
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Der DUO Link V3 von PNY bringt dank zweier USB-Schnittstellen der Typen A und C reichlich Flexibilität in der Handhabung. Wir haben uns das Modell mit großzügigen 1 TB Speicherkapazität im Test genauer angesehen.
Mit dem PNY PRO Elite V3 haben wir heute einen USB-C-Stick mit USB 3.2 Gen2 Geschwindigkeit im Test. Das Modell mit 256 GB erreicht lesend bis zu 1.000 MB/s und 800 MB/s beim Schreiben. Mehr dazu in unserem Praxistest.
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