Samsung hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4 Gigabyte DRAM-Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen, Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise-Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist nach eigenen Angaben über sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs.

Das neu in den Markt eingeführte 4 GB HBM2-DRAM nutzt Samsungs 20-Nanometer-Prozesstechnologie und basiert auf einem innovativen HBM-Chipdesign. Aufgrund seiner kleinen Abmessungen eignet sich das DRAM speziell für HPC-Systeme und Grafikkarten der nächsten Generation. Auf die Markteinführung von Samsungs 128 GB 3D TSV DDR4-RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) im Oktober 2015 folgend, kennzeichnet das neue HBM2 DRAM den jüngsten Meilenstein in der TSV-Technologie (Through Silicon Via).

Das 4 GB fassende HBM2-Package entsteht, indem man auf einen Puffer-Die vier 8 Gigabit Core-Dies stapelt. Diese werden dann vertikal über TSV-Löcher und Microbumps miteinander verbunden. Ein 8 Gb großer HBM2-Die enthält über 5.000 TSV-Löcher. Dies sind über 36 Mal so viele wie bei einem 8 Gb TSV DDR4-Die. Gegenüber typischen Wire-Bonding-Packages lässt sich so eine wesentlich höhere Datenübertragungsrate erzielen. Samsungs neues DRAM-Package bietet mit 256 GBps die doppelte Bandbreite von HBM1-DRAM-Packages. Dies ist mehr als die siebenfache Bandbreite von 4 Gb GDDR5-DRAM-Chips (36 GBps), die von allen derzeit produzierten DRAM-Chips die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit pro Pin (9 Gbps) aufweisen. Eine interne ECC-Funktion (Error-Correcting Code) sorgt für hohe Zuverlässigkeit.

Darüber hinaus plant Samsung die Produktion eines 8 GB HBM2-DRAM-Packages noch in diesem Jahr. Beim Einsatz von 8 GB HBM2 DRAM in Grafikkarten können Entwickler gegenüber GDDR5-DRAM von einer Platzersparnis von über 95 Prozent profitieren und optimalere Lösungen für kompakte Geräte anbieten, die besonders hohe Grafikleistungen benötigen. Das Unternehmen wird das Produktionsvolumen seiner HBM2-DRAMs im Verlauf des Jahres stetig steigern, um das erwartete Wachstum bei der Nachfrage für Netzwerksysteme und Server zu erfüllen.