Mit dem RLDRAM II (Reduced-Latency-Dynamic-Random-Access-Memory-II-Architektur) Standard, den Infineon und Micron ankündigen, sollen Bandbreiten von bis zu 28,8 Gigabyte pro Sekunde erreicht werden können. Diese Speicher sind mit bis zu 400 MHz getaktet und sollen die zweite Generation von Ultra-High-Speed-DDR SDRAM´s darstellen.
Die neuen Speicherbausteine sind sehr für Kommunikations- und Datenspeicherapplikationen geeignet. Die Speicherbausteine benötigen dabei allerdings lediglich stromsparende 1,8 Volt.
Deb Matus, DRAM Marketing Manager für Networking und Communications bei Micron :
"RLDRAM-II-Bausteine sind eine ausgezeichnete Lösung, um Hochgeschwindigkeits-Ethernet- sowie Netzwerksystemdesigns der nächsten Generation mit Datenraten zwischen 10 GBit/s und 40 GBit/s zu realisieren"
"Wir werden in Zukunft immer größere Zustimmung für diese Technologie in allen Märkten finden. Zu den Applikationen, die RLDRAM-Produkte verwenden, gehören Netzwerke, Consumer-Geräte, Grafikanwendungen und L3-Caches."
Um die neuen Speicher kompatibel zu den früheren Produkten zu machen werden sie in standardmäßigen 144-Ball-FBGA-Gehäuse mit Abmessungen von 11 mm x 18,5 mm untergebracht.
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