Samsung hat mit der Massenproduktion des ersten embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 mit einer Kapazität von 1 Terabyte begonnen. Die neuen eUFS-Speicher sollen speziell in Mobilgeräten der nächsten Generation zum Einsatz kommen. Nur vier Jahre nach Einführung der ersten UFS-Lösung mit einer Kapazität von 128 Gigabyte hat Samsung jetzt die lang erwartete Terabyte-Schwelle bei Smartphone-Speichern überschritten.
Bei gleichen Gehäuseabmessungen (11,5 mm x 13,0 mm) wie die 512-GB-Vorgängerversion bietet die neue 1-TB-eUFS-Lösung die doppelte Speicherkapazität und enthält einen Stapel mit 16 Lagen von Samsungs 512 Gbit V-NAND Flash Memory und einem neu entwickelten proprietären Controller. Bei einer Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 1.000 MB/s erreicht das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit einer typischen 2,5-Zoll-SSD. Ferner hat sich die Geschwindigkeit beim wahlfreien Lesen (Random Read Speed) gegenüber der 512-GB-Version um 38 Prozent auf bis zu 58.000 IOPS erhöht. Die Geschwindigkeit beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) ist mit bis zu 50.000 IOPS deutlich höher als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte.
Samsung plant, die Produktion seiner 512 Gbit V-NANDs der fünften Generation in seinem Werk in Pyeongtaek, Korea, im Verlauf der ersten Jahreshälfte 2019, weiter auszubauen, um die zu erwartende Nachfrage von Geräteherstellern nach 1-TB-eUFS-Lösungen zu erfüllen.
Mit der PNY CS3250 M.2 NVMe PCIe Gen5 x4 SSD erweitert PNY sein Portfolio im High-End-Segment um ein Modell, das...
In einer heute veröffentlichten Videoankündigung hat Jack Huynh, SVP und GM der Computing and Graphics Group bei AMD, den neuen...
Die Sicherung von Daten sollte für Unternehmen selbstverständlich sein, doch zu oft wird sie auf der Prioritätenliste nach unten verschoben,...
Mascot Gaming ist ein Spieleentwickler aus Malta, der seit 2015 am Markt ist. Es begann als kleines Zwei-Mann-Projekt begann. Heute...
KIOXIA Europe GmbH hat die Entwicklung einer Super-High-IOPS-SSD angekündigt. Der neue SSD-Typ ermöglicht es GPUs, direkt auf den Hochgeschwindigkeits-Flashspeicher zuzugreifen...
PNY bietet mit der CS3250 eine Familie von PCIe Gen5 SSDs an, die mit Speicherkapazitäten von bis zu 4 TB erhältlich sind. Die Drives erreichen bis zu 14.900 MB/s lesend. Wir haben das 1-TB-Modell getestet.
Crucial bietet DIMM-Module der Pro-OC-Familie in unterschiedlichen Konfigurationen an. Wir haben uns zwei Kits mit 6.400 MT/s und Größen von 2 x 16 GB sowie 2 x 32 GB im Praxistest genau angesehen.