NEWS / IBM: 500 Gigahertz mit Silizium-Germanium-Chip erreicht

21.06.2006 16:00 Uhr    Kommentare

Das Georgia Institute of Technology und IBM haben bekannt gegeben, dass es ihren Forschern gelungen ist, den ersten Chip auf Silizium-Germanium(SiGe)-Basis herzustellen, der mit einer Taktfrequenz von über 500 Gigahertz läuft. Um diesen Geschwindigkeitsrekord zu erreichen, musste der Chip jedoch tiefgefroren werden. Die Spitzenwerte konnten nahe dem absoluten Nullpunkt bei 4,5 Grad Kelvin (etwa -268,5 Grad Celsius) gemessen werden.

Auf der Erde lassen sich so niedrige Temperaturen nur durch Kühlung mit flüssigem Helium erzeugen. Bei Raumtemperatur erreicht der Chip immerhin etwa 350 Gigahertz. Nach Computerberechnungen könnte die Taktung jedoch noch erheblich gesteigert werden. Rund ein Terahertz (1.000 Gigahertz) seien laut Simulation möglich, so IBM in einer Aussendung. Die Chips, die in diesem Forschungsprojekt eingesetzt werden, stammen von der Prototypen-SiGe-Technologie vierter Generation, und werden von IBM auf 200 mm Wafern gefertigt.

"Diese bahnbrechende gemeinsame Forschung definiert die Leistungsgrenze von Silizium-basierten Halbleitern neu", sagt Bernie Meyerson, Vice President und Chief Technologist der IBM Systems and Technology Group. Ultra-Hochfrequenz-Silizium-Germanium-Schaltkreise haben potenzielle Anwendungsbereiche in kommerziellen Kommunikationssystemen, Sicherheitselektronik, Weltraumforschung sowie in der Sensortechnik und künftig möglicherweise auch im Elektronik-Massenmarkt. Vor allem in der drahtlosen Kommunikation versprechen sich die IBM-Forscher viel. Vor wenigen Monaten haben sie einen Chipsatz entwickelt, der es elektronischen Geräten erlaubt zehn Mal schneller Daten zu senden und zu empfangen, als dies bisher mit WLAN möglich ist.

Silizium-Germanium-Technologie hat großes Interesse in der Elektronikindustrie hervorgerufen, weil sie substanzielle Verbesserungen in der Transistorleistung ermöglicht, während weiterhin konventionelle Fabrikationstechniken zum Einsatz kommen können, so das Unternehmen. Sie sind kompatibel mit den silizium-basierten Standard-Fertigungsprozessen, die hohe Stückzahlen ermöglichen. Durch den Einsatz von Germanium auf atomarer Ebene in Silizium-Wafern können die Ingenieure die Leistung daher dramatisch steigern und gleichzeitig die vielen Vorteile von Silizium weiter nützen.

Quelle: pressetext, Autor: Patrick von Brunn
3D V-Cache: AMD Ryzen 9 7950X3D im Test
3D V-Cache: AMD Ryzen 9 7950X3D im Test
AMD Ryzen 9 7950X3D

Mit dem Ryzen 9 7950X3D von AMD haben wir heute eine Zen 4-CPU mit satten 16 Kernen und 3D V-Cache Technologie im Test. Besonders im Bereich Gaming verspricht AMD eine hohe Performance.

Toshiba MG11ACA HDD mit 24 TB im Test
Toshiba MG11ACA HDD mit 24 TB im Test
Toshiba MG11ACA 24 TB

Mit der Cloud-Scale Capacity MG11ACA24TE stellte Toshiba erst kürzlich seine neue Enterprise-Festplatte mit satten 24 TB vor. Diese HDD ist das erste Modell der Familie mit 1 GB Puffer. Mehr dazu im Test.

Kingston FURY RENEGADE SSD 2 TB Review
Kingston FURY RENEGADE SSD 2 TB Review
FURY RENEGADE SSD, 2 TB

Die FURY RENEGADE ist eine SSD-Familie von Kingston, basierend auf einem PCI Gen4 Interface und Phison-Controller. Wir haben uns das Modell ohne Kühlkörper und mit 2 TB Speicherkapazität im Test ganz genau angesehen.

Samsung Portable SSD T9 mit 2 TB im Test
Samsung Portable SSD T9 mit 2 TB im Test
Samsung Portable SSD T9 2 TB

Mit der Portable SSD T9 bietet Samsung den Nachfolger der beliebten T7-Familie an. Die Drives verwenden ein USB 3.2 Gen2x2 Interface und bieten entsprechend hohe Datenraten bis 2 GB/s. Mehr dazu im Test der 2 TB Version.