Semiconductor Insights (SI), das Beratungsunternehmen für Konzerne aus der Mikroelektronikbranche, gab heute bekannt, dass das Unternehmen einen produktionsfertigen 50 nm NAND-Flash von IM Flash Technologies (IMFT), dem Joint Venture von Intel und Micron, evaluiert. "Unsere vorläufigen Analysen des Geräts haben eine Gate-Länge von 50 nm bei Strukturabständen der Wortleitungen bestätigt", betonte Geoff MacGillivary, Chefanalyst für Memory-Lösungen bei SI. "Dies ist das am weitesten entwickelte Flash-Element, das wir bisher gesehen haben, und wir sind beeindruckt, dass es IMFT in so kurzer Zeit geschafft hat, eine so kleine Lithographie-Prozesstechnologie bereitzustellen."
SI analysiert jährlich Hunderte von Speichergeräten, einschließlich der neuesten NAND Flash-Angebote der wichtigsten Anbieter. "Vor der Verfügbarkeit der 50 nm-Komponente von IM Flash Technologies brachte der 65 nm 4Gb NAND Flash von Samsung die Dichte-Kosten-Gleichung bei Single Level Cell (SLC)-Speicher auf 31,3 Mb/mm². IMFT führt nun in der Branche mit 41,8 Mb/mm² und bietet eine Die-Size, die mehr als 30% kleiner ist als die von Samsung. Das einzige Gerät, das die Lösung von IMFT übertrifft, ist Toshibas 70 nm 8Gb NAND Flash mit 56,53 Mb/mm², aufgrund einer Multi Level Cell (MLC) Implementierung. Erreicht wird das allerdings auf einem Chip, der fast 50% größer ist als der von IMFT, wodurch die Gesamtherstellungskosten steigen", sagte MacGillivray.
Mehr über den neuen 50 nm NAND-Flash von IMFT erfahren Sie bei Semiconductor Insights.
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