NEWS / AMD mit neuartiger Transistorentwicklung

19.09.2003 06:30 Uhr

Forscher von AMD haben auf der International Conference on Solid State Devices and Materials in Tokio Einzelheiten einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) sowie auf die Metal-Gate-Technologie zurückgreift. AMD´s Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungen an Multi-Gate-Transistoren eine um bis zu 50 Prozent höhere Leistung und übertrifft damit die von der (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. AMD geht von einer Serienproduktion ab 2007 aus.

"Bei AMD´s neuster Entwicklung ist ein einzigartiger, ultradünner und in Fully Depleted Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine Streckung des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so die Mobilität der Ladungsträger..."

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

#AMD 

Dreo AC516S mobile Klimaanlage im Test
Dreo AC516S mobile Klimaanlage im Test
Dreo AC516S

Heute testen wir die mobile Klimaanlage Dreo AC516S, die für Räume von bis zu 40 m² geeignet ist. Das Gerät kann nicht nur kühlen, sondern beispielsweise auch die Luft entfeuchten. Mehr dazu im Test.

PNY CS3250 Gen5 SSD mit 1 TB im Test
PNY CS3250 Gen5 SSD mit 1 TB im Test
PNY CS3250, 1 TB

PNY bietet mit der CS3250 eine Familie von PCIe Gen5 SSDs an, die mit Speicherkapazitäten von bis zu 4 TB erhältlich sind. Die Drives erreichen bis zu 14.900 MB/s lesend. Wir haben das 1-TB-Modell getestet.