Advanced Micro Devices (AMD) gab vor kurzem bekannt das es ihnen gelungen ist den kleinsten Duoble-Gate Transistor herzustellen, der je mit Standardtechnologie gebaut wurde. Mit einer grösse von Zehn Nanometern (ein zehn Milliardstel eines Meters) ist er somit 6 mal kleiner als der bisher kleinste produzierte. Das gute an dieser Entwicklung? - in Zukunft können so anstatt 100Millionen eine Milliarde Transistoren auf eine Chipfläche gebracht werden was bedeutet dass es bald viel leistungsfähigere Prozessoren geben kann als bisher.
Noch ein paar interessante Hintergrundinformationen von AMD direkt:
Transistoren sind winzige Schalter, die bei den gegenwärtigen Mikroprozessoren die integrierten Schaltkreise bilden. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann. Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen „Siliziumlamelle“, die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht, neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Maßen herzustellen.
„Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht, immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln”, so Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. „Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. Der FinFET Transistor beweist, dass wir weiterhin leistungsstarke Produkte liefern können, ohne die Basistechnologie unserer Industrie verlassen zu müssen. “
Der zehn Nanometer Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) von AMD ist das Ergebnis der gemeinsamen Forschung von AMD und der University of California in Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corporation (SRC). Die Bausteine wurden im Submicron Development Center von AMD produziert.
„Die überlegene Kontrolle des Leckstromes machen die FinFET Transistoren zu einem attraktiven Kandidaten für zukünftige Nano CMOS Generationen, die im kommenden Jahrzehnt in die Produktion gehen sollen“, so Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences von der U.C. Berkeley. „FinFET hat ein enormes Potenzial, die Skalierbarkeit der CMOS Technologie zu erweitern.“
Wer neu in die Gaming-Welt einsteigt oder den Schritt vom Casual Gamer zum ambitionierten Spieler wagt, stellt sich früher oder...
KIOXIA gab heute die Entwicklung seiner neuen 122,88 Terabyte (TB) großen NVMe-SSD der LC9-Serie bekannt. Der Speicher ist im 2,5-Zoll-Formfaktor...
Der Intel Vorstand ernannte gestern, am 12. März, Lip-Bu Tan zum neuen Chief Executive Officer (CEO) des Unternehmens. Damit setzt...
Kurz nach dem Launch der neuen GeForce-RTX-5000-Serie (Blackwell) präsentiert KFA2 sein werksübertaktetes Custom-Modell GeForce RTX 5080 1-Click OC. Bei der KFA2...
Durch den unstillbaren Hunger der digitalen Welt nach Speicherplatz entstehen täglich riesige Datenmengen, die irgendwo abgelegt werden müssen. Daher sind...
Mit der GeForce RTX 5080 X3 OC von INNO3D haben wir ein weiteres Custom-Design auf Basis der neuen Blackwell-Architektur im Testlab empfangen. Mehr zum Praxistest des Boliden in unserem Artikel.
Die neue 2024er-Version der EVO Plus microSDXC-Speicherkarte von Samsung ist mit bis zu 1 TB erhältlich und bietet 160 MB/s lesend, statt 130 MB/s wie beim Vorgänger aus 2021. Mehr dazu im Test.
Nachdem wir vor ein paar Tagen und pünktlich zur Marktverfügbarkeit die RTX 5080 1-Click OC von KFA2 angetestet haben, folgt nun der gewohnt ausführliche Review des Blackwell-Boliden.
Die Nubert nuPro XS-4000 RC sind nicht nur für die Verwendung am Computer geeignet, sondern kommen auch mit HDMI ARC, Bluetooth und Fernbedienung.