Samsung erhöht das Produktionsvolumen seines 8 Gigabyte (GB) High Bandwidth Memory-2 (HBM2), um dem steigenden Marktbedarf in einer Vielzahl von Applikationen gerecht zu werden. Dazu gehören unter anderem Künstliche Intelligenz (KI), Hochleistungs-Computing (HPC), Grafik, Netzwerksysteme und Enterprise-Server.
Das 8GB-HBM2-DRAM besteht aus acht 8 Gigabit (Gb) HBM2-Dies und einen Puffer-Die, die vertikal über TSVs (Through Silicon Via) und Microbumps miteinander verbunden sind. Da jeder Die über 5.000 TSVs enthält, weist ein Samsung 8GB-HBM2-Package über 40.000 TSVs auf. Die Verwendung einer so hohen Anzahl an TSVs (inklusive Ersatzteile) ermöglicht eine hohe Leistung. Erreicht wird dies durch das Wechseln von Datenpfaden auf andere TSVs, sobald eine Verzögerung bei der Datenübertragung auftritt. HBM2 wurde zudem entwickelt, um das Überhitzen ab einer bestimmten Temperatur zu verhindern und somit eine hohe Verlässlichkeit zu garantieren.
Erstmals vorgestellt im Juni 2016 erreicht das DRAM mit HBM2-Schnittstelle eine Datenübertragungsrate von 256 GB/s, was mehr als dem Achtfachen eines GDDR5-DRAM-Chip mit 32 GB/s entspricht. Mit der doppelten Kapazität von 4 GB-HBM2-DRAM bietet die 8 GB-Lösung eine noch höhere Systemleistung und Energieeffizienz und stellt somit eine Verbesserung für daten- und leistungsintensive Anwendungen wie maschinelles Lernen, Parallel-Computing und Grafik-Rendering dar.
Indem Samsung der steigenden Nachfrage des Marktes gerecht wird, geht das Unternehmen davon aus, dass seine Massenproduktion des 8GB-HBM2-DRAM bis zur ersten Hälfte nächsten Jahres einen Anteil von über 50 Prozent seiner HBM2-DRAM-Produktion einnimmt.
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