Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.
Casual-Onlinespiele wie Bingo oder Kartenspiele wie Rummy sind längst fester Bestandteil des digitalen Alltags. Kein Download, keine Installation, einfach Browser...
Der Mobilfunkstandard der fünften Generation hat den deutschen Markt grundlegend verändert, da er sowohl die Geschwindigkeit als auch die Verbindungsqualität...
Balkon-Solarstromspeichersysteme helfen Haushalten, Solarenergie während sonniger Stunden zu erfassen und sie zu nutzen, wenn Strom am dringendsten benötigt wird. Durch...
ASUS Republic of Gamers (ROG) feiert auf der Gamescom 2026 sein 20-jähriges Bestehen. Im Mittelpunkt des Messeauftritts stehen Jubiläumsprodukte der...
AVM hat eine weitere Labor-Version des kommenden FRITZ!OS 8.50 veröffentlicht. Das Beta-Update bringt zahlreiche neue Funktionen für FRITZ!Box, Smart Home...
Der TEG-S Desktop 10G Switch ist ein unmanaged Gerät mit 8 schnellen 10G-Ports. Wir haben uns den TEG-S708 in einem Kurztest zur Brust genommen, Messungen durchgeführt und berichten nun darüber.
Der IronKey Locker+ 50 G2 von Kingston ist ein USB-Flashspeicher mit 256 Bit starker AES-HW-Verschlüsselung im XTS-Modus. Wir haben das 64-GB-Modell im Praxistest genauer begutachtet.