Infineon hat den ersten AMB (Advanced Memory Buffer) Testchip für die nächsten Generation von Server-Speichermodulen auf Basis von DDR-II (Double Data Rate 2) DRAMs erfolgreich getestet. Der AMB ist die zentrale Komponente für Fully Buffered (vollständig gepuffert) Dual-Inline-Memory-Modules (FB-DIMMs), die als künftiger Standard für Serverspeicher angesehen werden.
Bisher eingesetzte Speichermodule sind an den Speicher-Bus parallel angebunden (Multi-Drop-Bus-Architektur). Mit der neuen Speicher-Bus-Architektur der FB-DIMMs wird eine Point-to-Point-Verbindung zwischen dem Speicher-Controller und dem ersten Speichermodul sowie den folgenden Speichermodulen eingeführt. Damit ist der Bus-Zugriff unabhängig von der DRAM-I/O-Geschwindigkeit und ermöglicht so hohe Speicherkapazitäten mit schnellen DRAMs. Der AMB-Chip befindet sich auf jedem FB-DIMM und sorgt für die Verteilung der Daten zwischen den DRAMs auf dem DIMM. Dabei puffert er die Daten intern und sendet oder empfängt sie von dem nächsten DIMM bzw. Speichercontroller.
Die maximal erforderliche Datenrate pro I/O-Pin beträgt 4,8 Gbit/sec (bei DDR-II 800), während der AMB-Testchip von Infineon eine Datenrate von 6,0 Gbit/s erreichte. Entwicklungsmuster des FB-DIMMs mit DDR-II DRAMs sollen ab dem 4. Quartal 2004 verfügbar sein. Die Markteinführung ist für die zweite Jahreshälfte 2005 geplant.
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